Новости «Умная Россия»
Лента новостей
Лента новостей
Сегодня
Политика
Общество
Бизнес
Культура
Сделано Русскими
О проекте
Редакция
Контакты
Размещение рекламы
Использование материалов
Свидетельство о регистрации СМИ ЭЛ № ФС 77 – 65733 выдано Роскомнадзором 20.05.2016.
Новости
Новости «Умная Россия»
Новости «Умная Россия»

Российские ученые разработали новую технологию контактной сварки

Применение инновационных диодов в два раза увеличивает скорость сварочного процесса
Виктор Мартынюк
1 мин
Группа российских ученых НИТУ МИСиС под руководством доцента кафедры «Полупроводниковая электроника и физика полупроводников» кандидата наук Петра Лагова создали новую технологию, удваивающую скорость контактной сварки.
Это стало возможным благодаря применению специально разработанным силовым диодам с оптимизированной кремниевой структурой. Их использование в составе ручной или роботизированной сварочной машины значительно повышает энергоэффективность процесса и качество сварного соединения за счет двукратного увеличения рабочей частоты до 20 кГц.
Роботизированная контактная сварка свободно применятся в машиностроении, судоходной, авиационной промышленности, при производстве бытовых изделий  – это главный способ соединения многочисленных деталей путем нагрева и деформации металла проходящим через него электрическим током без применения присадочных материалов. Таким способом можно создавать до нескольких десятков соединений за одну минуту.
Частота импульсов тока является основной характеристикой процесса контактной сварки и непосредственно устанавливает его скорость, производительность, а также качество зарабатываемого сварного соединения и его прочность.
Научные сотрудники НИТУ МИСиС разработали технологию получения наноразмерных центров рекомбинации (атомных «вакансий») в структуре диодного монокристалла.
Они формируются посредством контролируемого смещения (выбивания) атомов из узлов кристаллической решетки в определенных слоях кремниевой пластины сварочного диода – самого важного функционального элемента оборудования контактной сварки.
По словам Лагова, экспериментальные образцы инновационных диодов готовы к применению, они обладают конкурентными преимуществами – максимальной рабочей частотой не менее 20 кГц при токе 7 кА, что в два раза лучше зарубежных образцов.
Также после серии экспериментов было установлено, что технология локального формирования центров рекомбинации может быть успешно использована при производстве кремниевых биполярных приборов и интегральных схем всевозможных классов.
Масштабное внедрение данной технологии в полупроводниковое производство позволит значительно повысить качество целого сегмента отечественной электронной компонентной базы, что способствует снабжению технологической независимости в условиях импортозамещения.
темы
Новости партнеров
Реклама
Реклама
1 мин