Новости «Умная Россия»
Лента новостей
Лента новостей
Сегодня
Политика
Общество
Бизнес
Культура
Сделано Русскими
Личные связи
О проекте
Редакция
Контакты
Размещение рекламы
Использование материалов
Запрещенные организации
Свидетельство о регистрации СМИ ЭЛ № ФС 77 – 65733 выдано Роскомнадзором 20.05.2016.
Лента главных новостей
Русская планета
Новости «Умная Россия»

Российские ученые ускорили работу электроники

Физики изучили наногетероструктуры на основе арсенида галлия
Анна Воробьева
16 марта, 2018 17:02
1 мин
pixabay.com
Российские ученые создали наногетероструктуры на основе арсенида галлия, способные ускорить работу высокочастотных микросхем.
Гетероструктура представляет собой выращенный на подложке слоистый материал из различных полупроводников, обычно используемых в электронике.
Сотрудники Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ» вместе с коллегами из Института физики металлов СО РАН смогли решить проблему увеличения механического напряжения кристаллической решётки при увеличении содержания индия в активном токоведущем слое материала.
Полная версия статьи доступна на сайте «Умная страна»
темы
1 мин